Примерная программа учебной дисциплины электронная техника для специальности - davaiknam.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
страница 1
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Программа учебной дисциплины электронная техника 2011 г 1 216.28kb.
Программа дисциплины Электронная техника для специальности (группы... 1 229.49kb.
Примерная программа учебной дисциплины "Этика и психология" по специальности... 1 221.33kb.
Рабочая программа по социологии составлена в соответствии с гос,... 1 195.46kb.
Примерная программа учебной дисциплины обществознание для профессий... 1 296.04kb.
Примерная программа учебной дисциплины естествознание для профессий... 1 366.63kb.
Примерная программа учебной дисциплины обществознание для профессий... 1 288.93kb.
Примерная программа учебной дисциплины история для профессий начального... 5 562.66kb.
Примерная программа учебной дисциплины история для профессий начального... 5 562.7kb.
Примерная программа учебной дисциплины биология для профессий начального... 1 228.56kb.
Рабочая программа учебной дисциплины Направление подготовки 080200. 1 308.86kb.
Методические рекомендации по выполнению контрольной работы по дисциплине... 1 226.07kb.
Направления изучения представлений о справедливости 1 202.17kb.

Примерная программа учебной дисциплины электронная техника для специальности - страница №1/1



Министерство культуры Российской Федерации.

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

для специальности


2013 «Аудиовизуальная техника и звукотехническое обеспечение аудиовизуальных программ»

среднего профессионального образования

(базовый уровень)

Москва, 2003 г.


Примерная программа итоговой учебной дисциплины «Электронная техника». – М.: издательский отдел Министерства культуры РФ,

2003, - 16 стр.


Одобрена Учебно-методическим советом по группе специальностей культуры и искусства.
Соответствует государственным требованиям к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников для специальности 2013 специализация 01 среднего профессионального образования.
Департамент образовательной и научно-информационной политики в сфере культуры Министерства культуры Российской Федерации.
В.Ф. Зива

« » ___________2003г.

Составитель: Бедрикова А.И. – преподаватель Сергиево-Посадского

киновидеотехнического колледжа.

Рецензент: Фесенко Л.А. – преподаватель Иркутского техникума
кино и телевидения

Ответственный за выпуск:


Замечания, предложения и пожелания по программе направлять…


УМЦ Министерства культуры РФ, 2003



ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Примерная программа учебной дисциплины «Электронная техника» предназначена для реализации государственных требований к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по специальности 2013 «Аудиовизуальная техника и техническое обеспечение аудиовизуальных программ».

Примерная программа служит основой для разработки образовательным учреждением рабочей программы учебной дисциплины. Изучение основ электронной техники должно обеспечить подготовку студентов к успешному освоению ряда предметов специальных дисциплин: «Усилительные устройства», «Электропитание аппаратуры и киноустановок», «Телевидение», «Видеотехника», «Системы автоматического регулирования и управления».

Формы проведения учебных занятий выбираются преподавателем, исходя из дидактической цели, содержания материала и степени подготовки студентов.

В результате изучения дисциплины студент должен:


иметь представление:

  • о роли и месте знаний по дисциплине «Электронная техника» при освоении смежных дисциплин по выбранной специальности и о сфере профессиональной деятельности;

  • о процессах, происходящих в электронных приборах (электронных лампах, транзисторах, тиристорах и т.д.);


знать:

  • устройство и принцип работы основных электронных приборов;

  • применение электронных приборов в технике;


уметь:

  • снимать и строить характеристики электронных приборов;

  • рассчитывать основные параметры приборов по характеристикам;

  • пользоваться справочником по электронным приборам.

Программа рассчитана на 80 часов аудиторных занятий, в том числе 20 часов отводится на лабораторные и практические занятия.

Для лучшего усвоения учебного материала его изложение необходимо производить с применением технических и аудиовизуальных средств обучения.

При разработке рабочей программы учебной дисциплины, образовательное учреждение может вносить изменения в содержание, уровень усвоения, последовательность изучения учебного материала и распределение учебных часов по разделам (темам), а также в перечень лабораторных занятий, не нарушая логики изложения дисциплины и при условии обязательного выполнения государственных требований по специальности.

Для проверки знаний студентов в рабочей программе рекомендуется указывать, по окончанию изучения каких разделов следует проводить рубежный контроль. Форму и сроки проведения контроля по дисциплине определяет учебное учреждение.

ПРИМЕРНЫЙ ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН


Наименование разделов и тем

Количество аудиторных

часов при очной форме

обучения


Всего

В том числе

практические



занятия

1

2

3

Введение

1




Раздел 1 Физические основы полупроводников

5




Тема 1.1 Электропроводность беспримесных и примесных полупроводников

1




Тема 1.2 Электронно-дырочный переход. Виды их, свойства при разных напряжениях. Емкость р-п перехода

2




Тема 1.3 Виды пробоев. Контакт металл-полупроводник

2




Раздел 2 Полупроводниковые приборы

36

12

Тема 2.1 Полупроводниковые диоды. Варикапы

3




Тема 2.2 Кремниевый стабилитрон

2

2

Тема 2.3 Биполярный транзистор

12

6

Тема 2.4 Полевой транзистор

3

2

Тема 2.5 Тиристоры

4

2

Раздел 3 Электронные лампы

10

4

Тема 3.1 Виды электронной эмиссии. Электровакуумный диод и триод

2




Тема 3.2 Многоэлектродные лампы

4

4

Раздел 4 Полупроводниковые фотоэлектронные приборы

6

2

Тема 4.1 Фоторезисторы и фотогальванические элементы

2




Тема 4.2 Фотодиоды. Фототранзисторы

2

2



1

2

3

Раздел 5 Устройства отображающие информацию

10

2

Тема 5.1 Буквенно-цифровые индикаторы

2

1

Тема 5.2 Светодиоды, оптоэлектронные устройства

2

1

Тема 5.3 Устройства отображения информации на электронно-лучевых трубках

2




Тема 5.4 Кинескопы

2




Раздел 6 Основы микроэлектроники

8




Тема 6.1 Интегральные схемы - качественно новая электронная база

2




Тема 6.2 Гибридные интегральные микросхемы

2




Тема 6.3 Полупроводниковые интегральные микросхемы

2




Тема 6.4 Аналоговые и цифровые микросхемы

2




Раздел 7 Импульсные устройства

4




Тема 7.1 Виды импульсных сигналов

1




Тема 7.2 Параметры импульсных сигналов. Простейшие формирователи импульсных сигналов

3




Всего по дисциплине

80

20


ПРИМЕРНОЕ СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

ВВЕДЕНИЕ

Цели и задачи учебной дисциплины «Электронная техника». Краткие сведения из истории развития электроники и микроэлектроники. Роль микроэлектроники в ускорении научно- технического прогресса, автоматизации производственных процессов. Связь предмета с другими общепрофессиональными и специальными дисциплинами.



Раздел 1. Физические основы полупроводников.
Тема 1.1 Электропроводность беспримесных и примесных полупроводников.

Студент должен:




знать:


- структуру кристаллической решетки полупроводников, генерация и

рекомбинация электронно-дырочных пар;

- образование основных и не основных носителей зарядов.
Электрические диаграммы металлов, полупроводников и диэлектриков.

Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике и влияние


температуры. Примесные полупроводники. Дрейфовый и диффузионный токи

в полупроводниках. Понятие о диффузионной длине носителей.



Тема 1.2 Электронно – дырочный переход. Их виды, свойства при разных напряжениях.
Ёмкость p-n перехода.

Студент должен:



знать:
. - структуру и механизм возникновения электронно-дырочного перехода;

- свойства p-n перехода при наличии внешнего напряжения;

- виды p-n переходов;

- частотные свойства p-n перехода.


Образование контактной разности потенциалов на границе p и n областей. Свойства электронно-дырочного перехода при прямом напряжении, при обратном напряжении. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Виды: симметричный, несимметричный, структура p-i, n-i; гетеропереход. Ёмкость p-n перехода: барьерная и диффузионная.
Тема 1.3 Виды пробоев. Контакт металл- полупроводник.
Студент должен:

знать:

- виды пробоев в p-n переходе: тепловой и электрический;

- свойства контакта металл-полупроводник: омический и выпрямительный контакты.
Причины возникновения теплового пробоя. Виды электрического пробоя: лавинный и туннельный, где их используют. Структура контакта металл-полупроводник n – типа. Возникновение омического и выпрямительного контакта и их применения в полупроводниковых приборах. Контактные явления в структуре : металл-диэлектрик-полупроводник.

Раздел 2. Полупроводниковые приборы.
Тема 2.1. Полупроводниковые диоды. Варикапы.
Студент должен:

знать:

- устройство выпрямительных диодов, схемы;

- характеристики и параметры выпрямительных диодов (германиевых и кремниевых);

- назначение варикапа, зависимость барьерной ёмкости от обратного напряжения.


уметь:

  • построение характеристик диодов;

  • расчёт параметров диодов;

  • работать со справочником.

Устройство плоскостных и точечных диодов и их технология. Однополупериодная и мостовая схемы диодов. Вольт- амперная характеристика диодов, влияние температуры на характеристики для германиевых и кремниевых диодов. Параметры R пр., R обр., K. Предельно допустимые режимы работы. Маркировка полупроводниковых диодов.


Тема 2.2. Кремниевые стабилитроны.
Студент должен

знать:

  • назначение стабилитрона, устройство;

  • схему включения с нагрузкой;

  • вольт – амперную характеристику;

  • параметры.


уметь:

  • снимать и строить характеристику стабилитрона;

  • определить параметры по характеристике.

Свойства стабилитрона при подаче прямого и обратного напряжения.

Стабистор. Параметры стабилитрона : Uст., I min., I max., P max., r диф., R статич. Применение. Маркировка.


Тема 2.3. Биполярные транзисторы.
Студент должен

знать:

  • устройство и принцип действия p-n-p и n- p-n тарнзисторов;

  • принцип усиления электрических колебаний;

  • схемы включения ОБ, ОЭ, ОК, их особенности и параметры Ki, Kv, Kp;

  • статические характеристики транзисторов;

  • динамический режим работы транзистора по схеме ОЭ.

  • параметры усилительного каскада;

  • область применения.


уметь:

  • снимать и строить статические характеристики транзистора по схеме ОЭ;

  • снять амплитудно – частотную характеристику усилительного каскада;

  • различать типы транзисторов по маркировке;

  • определять параметры по характеристикам.

  • Назначение электродов – эмиттера, базы, коллектора. Назначение блоков питания.

Работа транзистора в статическом и динамическом режиме. Режим насыщения и отсечки, где применяют эти режимы. Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ: входные и выходные, первичные и вторичные параметры. Роль напряжения смещения на входе усилительного каскада. Основные параметры усилительного каскада:

коэффициент усиления, амплитудно – частотная характеристика, уровень помех, чувствительность.

Иметь представление:

- о составном транзисторе;

- о комплиментарной паре.


Тема 2.4. Полевой транзистор.
Студент должен:

знать:

  • преимущества полевых транзисторов перед биполярными;

  • устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим

p-n переходом;

  • устройство и принцип действия МДП транзисторов;

  • область применения.


уметь:

  • снимать и строить статические характеристики полевых транзисторов;

  • определять параметры по характеристикам.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом с каналом n – типа. Назначение электродов, схема включения с общим истоком. Стоковые и стоко – затворные характеристики. Параметры – S – крутизна, Ri – дифференциальное сопротивление,  - коэффициент усиления. МДП (МОП) транзисторы со встроенным каналом и индуцированным. Стоковые характеристики. Обозначения на схемах. Применение.


Тема 2.5. Тиристоры.

Студент должен:



знать:

  • устройство, принцип действия динистора, тринистора;

  • вольт – амперная характеристика динистора, тринистора;

  • параметры и применение в управляемых выпрямителях и схемах автоматики.


уметь:

  • снимать и строить вольт – амперные характеристики тринистора при

разных токах управления.
Четырёхслойная структура - p-n- p-n , типы тиристоров. Схемы включения динистора и тринистора. Физические процессы происходящие при подаче U прямого и Uобратного. Роль управляющего электрода. Виды вольт – амперных характеристик при разных значениях тока управления. Применение. Иметь представление о симметричных тиристорах.
Раздел 3. Электронные лампы.
Тема 3.1. Виды электронной эмиссии. Электровакуумный диод и триод.
Студент должен:

знать:

- виды эмиссий и их применение в приборах;

- особенности катодов прямого и косвенного накала;

- принцип действия вакуумного диода и триода;

- маркировка ламп.
Виды электронной эмиссии: термоэлектронная, фотоэлектронная, электростатическая, вторичная электронная, эмиссия под ударами тяжелых частиц. Термокатод, анод и управляющая сетка – конструкция и назначение. Назначение диода, триода, схемы. Статические характеристики триода. Параметры.
Тема 3.2. Многоэлектродные лампы.

Студент должен:



знать:

- конструкцию тетрода, пентода, лучевого тетрода;

- динатронный эффект и устранение его в многоэлектродных лампах;

- характеристики ламп;

- параметры ламп;

- применение.


уметь:

- снимать и строить анодные и анодно-сеточные характеристики ламп;

- определять основные параметры по характеристикам;

- различать лампы по маркировке.


иметь представление:

- о комбинированных лампах и их применении.


Раздел 4. Полупроводниковые фотоэлектронные приборы.
Тема 4.1. Фоторезисторы и фотогальванические элементы.
Студент должен:

знать:

- внутренний и внешний фотоэффект;

- физические процессы, проходящие в фоторезисторе и в фотогальваническом элементе;

- характеристики и параметры фоторезистора.


Иметь представление:

- о работе приборов с внешним фотоэффектом;

- фоторезистивный и фотогальванический эффект под действием света. Применение их в приборах.
Тема 4.2. Фотодиоды. Фототранзисторы.
Студент должен:

знать:

- применение фотодиодов в кинематографии;

- режимы работы фотодиода;

- основные характеристики и параметры фотодиода;

- отличие фототранзистора от фотодиода.
уметь:

-снимать и строить вольтамперные и световые характеристики фотодиода.


Конструкция фотодиодов. Фотодиодный и фотогальванический режимы работы фотодиода. Характеристики: вольтамперная, световая, спектральная. Параметры фотодиода в двух режимах работы. Конструкция и принцип действия фототранзисторов. Применение приборов.
Раздел 5. Устройства отображения информации.
Тема 5.1. Буквенно-цифровые индикаторы.
Студент должен:

знать:

- виды разрядов в газе;

- как возникает свечение газа;

- назначение неоновой лампы в звуковоспроизводящей аппаратуре киноустановок;

- знаковые индикаторы.
уметь:

- снимать и строить вольтамперные характеристики индикаторов.


Виды разрядов в газе: тлеющий и дуговой. Применение разрядов в приборах. Конструкция неоновой лампы, знаковых газоразрядных индикаторов, их принцип действия.

Иметь представление:

- о жидкокристаллических индикаторах.

Тема 5.2. Светодиоды. Оптоэлектронные приборы.
Студент должен:

знать:

- устройство и принцип действия светодиода;

- как возникает свечение и от чего зависит цвет излучения;

- применение в качестве индикатора;

- виды оптопар и их применение.
уметь:

- снимать и строить характеристики светодиодов.


Плоская и полусферическая конструкция светодиода. Процессы при подаче прямого напряжения. Зависимость длины волны от материала. Цвет излучения. Характеристики и основные параметры светодиодов. Применение светодиодов в оптоэлектронике.
иметь представление:

- оптоэлектронные устройства;

- схемы включения с внутренней и внешней оптической связью;

- преимущества оптоэлектронных устройств перед полупроводниковой и электровакуумной электроникой.


Тема 5.3. Устройства отображения информации на электронно-лучевых трубках.
Студент должен:

знать:

- устройство ЭЛТ с электростатическим управлением луча

- принцип получения изображения на экране ЭЛТ

- особенности ЭЛТ с магнитным управлением, их конструкция.


Устройство осциллографической электронно-лучевой трубки: электронный прожектор, экран трубки, отклоняющая система. Назначение всех электродов. Получение изображения на экране. ЭЛТ с магнитным управлением: роль фокусирующей катушки и магнитной отклоняющей системы. Маркировка трубок.
Тема 5.4. Кинескопы.
Студент должен:

знать:

- назначение кинескопов, конструкцию черно-белых кинескопов;

- как производится фокусировка и отклонение электронного луча в кинескопе;

- как получитьна экране высокую четкость изображения и необходимую яркость пятна.


Получение телевизионного изображения, получение растра. Роль модулятора. Конструктивные особенности кинескопов с использованием сложных электронных прожекторов. Ионные ловушки. Металлизированные экраны.

Иметь представление:

- о получении цветного изображения.


Раздел 6. Основы микроэлектроники.
Тема 6.1. Интегральные схемы - качественно-новая электронная база
Студент должен:

знать:

- определение интегральной схемы, термин "интеграция";

- технико-экономические характеристики и показатели интегральных схем (ИС);

классификация ИС

- система обозначения ИС

- современный уровень микроэлектроники: большие и сверхбольшие ИС (БИС и СБИС);


Дать понятие интегральной микросхемы. Преимущества микроэлектроники. Элементы и компоненты ИС. Активные и пассивные элементы. Степень интеграции микросхемы.

Классификация: 1) по технологии изготовления: полупроводниковая (ПИМС), гибридная (ГИМС), пленочная и совмещенная интегральная схема; 2) по характеру функционального назначения - аналоговые, цифровые и комбинированные. Система обозначений интегральных микросхем.


Тема 6.2. Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС).
Студент должен:

знать:

- основные конструктивные элементы ГИМС;

- основные технологические этапы создания микросхем;

- применение в кинотехнологическом оборудовании.


Основные конструктивные элементы: подложка, пленочные пассивные элементы, навесные элементы, корпуса для гибридных микросхем. Изготовление фотошаблонов и масок для получения пленочных пассивных элементов. Получение пленочных: резисторов, конденсаторов, индуктивных элементов. Навесные компоненты ГИМС.

Тема 6.3. Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС).
Студент должен

знать:

- две технологии изготовления: планарно-диффузионная и планарно-эпитаксиальная технологии;



  • технология изготовления ИС: окисление, фотолитография, диффузия, легирование и металлизация;

  • получение пассивных и активных элементов;

  • сборка и герметизация ПИМС, полупроводниковые БИС, этапы разработки и проектирование БИС;

  • применение ПИМС в кинотехнологическом оборудовании.


иметь представление:

  • о многоэмиттерном транзисторе, многоколлекторном транзисторе.


Тема 6.4. Аналоговые и цифровые микросхемы.

Студент должен:



знать:

  • назначение аналоговых микросхем в качестве усилителей, генераторов гармонических колебаний;

  • особенности дифференциальных усилителей;

  • положительная и отрицательная логика;

  • основные параметры логических микросхем;

  • простейшие логические операции И, ИЛИ, НЕ;

  • применение цифровых (логических) микросхем.


Раздел 7. Импульсные устройства.
Тема 7.1. Виды импульсных сигналов.
Студент должен

знать:

  • понятие «импульс»;

  • виды видеоимпульсов: прямоугольный, пилообразный, экспоненциальный, треугольный, трапецеидальный, колоколообразный.

уметь:

- различать радиоимпульс и видеоимпульс. Применение их в разной технике.



Тема 7.2 Параметры импульсных сигналов. Простейшие формирователи импульсных сигналов.

Студент должен:



знать:

  • параметры импульсного колебания: длительность, крутизна фронтов, период повторения, скважность, коэффициент заполнения, мощность в импульсе, единицы измерений всех параметров;

  • частотный спектр импульсов, спектральная диаграмма;

  • простейшие формирователи импульсных сигналов - диодные ключи, транзисторные ключи.

Диодные ключи - последовательная и параллельная схемы ключей. Передаточная характеристика. Преимущества транзисторных ключей перед диодными.

Режим отсечки и режим насыщения в транзисторном ключе. Применение в цифровых микросхемах.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ПРАКТИЧЕСКИХ ЛАБОРАТОРНЫХ ЗАНЯТИЙ

Тема 2.2

Исследование кремниевого стабилитрона. Снятие характеристик и определение параметров.



Тема 2.3

Исследование биполярного транзистора по схеме ОЭ в статическом режиме.



Тема 2.3


Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе по схеме ОЭ.



Тема 2.3

Расчет параметров биполярного транзистора и стабилитрона. Работа со справочником, нахождение характеристик и определение параметров данных приборов по характеристикам.



Тема 2.4


Исследование полевого транзистора с управляющим р-н переходом.



Тема 2.5

Исследование тиристоров. Снятие вольт- амперных характеристик при различных токах управления.



Тема 3.2

Исследование пентода.



Тема 3.2

Исследование лучевого пентода.




Тема 4.2

Исследование фотодиода в двух режимах работы.



Тема 5.1.2

Исследование индикаторных приборов: цифровых газоразрядных индикаторов и светодиодов.




ПЕРЕЧЕНЬ РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Федосеева Е.О . Федосеев Г.П «Основы электроники и микроэлектроники» . Москва, «Искусство» 1990г, 238с.

Колонтаевский Ю.Ф «Радиоэлектроника» . Москва «Высшая школа»,1988г, 300с.

Герасимов В.Г «Основы промышленной электроники». Москва «Высшая школа», 1986г,333с.

Овечник Ю.А « Полупроводниковые приборы». Москва « Высшая школа». 1986г,300с.

Мокеев О.К «Полупроводниковые приборы и микросхемы». Москва «Высшая школа». 1987г, 111с.

Манаев Е.И « Основы радиоэлектроники. Москва «Радио и Связь» 1990г,506с.

Игумнов Д.В , Королев Г.В , Громов И.С « Основы микроэлектроники» . Москва «Высшая школа»,1991г, 248с.



СОДЕРЖАНИЕ

Пояснительная записка………………………………………………………………………………….


Примерный тематический план…………………………………………………………………………..
Примерное содержание дисциплины……………………………………………………………………..
Примерный перечень практических и лабораторных занятий…………………………………………
Перечень рекомендуемой литературы……………………………………………………………………..






Читатель, представь себе, что ты идиот; а теперь представь себе, что ты конгрессмен; впрочем, я повторяюсь. Марк Твен
ещё >>