Тангенциальное ускорение, то же, что касательное ускорение. См. Ускорение. Тандем - davaiknam.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Траектория. Путь и перемещение. Скорость и ускорение. Угловая скорость... 1 27.11kb.
1. При прямолинейном движении зависимость пройденного телом пути... 1 27.24kb.
Лабораторная работа по предмету „Химическая техника Oпределение коеффициента... 1 100.74kb.
Урок игра Цель: способствовать усвоению понятий система отсчета,... 1 96.11kb.
Программа вступительного экзамена в аспирантуру по специальной дисциплине. 1 156.42kb.
Вариант 1 Определить силу тяжести тела массой 8 т 20 кг. На какую... 1 24.28kb.
Закон всемирного тяготения. Ускорение свободного падения на Земле... 1 128.08kb.
Задача точка движется согласно уравнениям X = 5 + 4t 2, y = 4 + 5t... 1 54.81kb.
Программа вступительных экзаменов по физике механика кинематика. 1 55.42kb.
Ускорение электронов в радиационных поясах косыми вистлерными волнами... 1 10.23kb.
Введение. Основы кинематики 1 91.94kb.
Примеры методик и моделей классификации и идентификации объектов... 5 929.19kb.
Направления изучения представлений о справедливости 1 202.17kb.

Тангенциальное ускорение, то же, что касательное ускорение. См. Ускорение. Тандем - страница №2/9


Роль атомных ядер в св-вах Т. т. не ограничивается тем, что в них со­средоточена масса тела. Квант. «замо­раживание» большинства движений в Т. т. при Т 0 К даёт возможность выявить вклад ядерных магн. уров­ней, если ядра обладают магн. момен­тами. При достаточно низкой темп-ре их вклад в парамагн. восприимчивость становится ощутимым (см. Ядерный парамагнетизм). Ядерные магн. уров­ни проявляются в резонансном погло­щении эл.-магн. энергии (см. Ядерный магнитный резонанс — ЯМР). ЯМР — один из распространённых методов изучения Т. т., т. к. структура ядер­ных магн. уровней существенно за­висит от св-в яд. окружения, в частности от электронной оболочки

атома. Многие яд. процессы в Т. т. приобретают специфич. черты, по­зволяющие использовать их для изу­чения св-в Т. т.; напр., изучение электронно-позитронной аннигиляции позволяет исследовать св-ва электрон­ной системы Т. т.; резонансное по­глощение -квантов ядрами Т. т.— локальные внутрикрист. поля (см. Мёссбауэра эффект) и т. д.



Взаимодействие быстрых заряжен­ных частиц с твёрдым телом. Упо­рядоченное расположение атомов на­кладывает существенный отпечаток на передачу энергии от быстрой частицы атомам Т. т. Например, на­блюдается резкая зависимость дли­ны пробега быстрой ч-цы от направ­ления относительно кристаллогра­фических осей (см. Каналирование заряженных частиц, Теней эффект). С др. стороны, облучение Т. т. бы­стрыми ч-цами и фотонами изменяет свойства Т. т.

Роль поверхности. Каждое Т. т. обладает поверхностью, к-рой оно соприкасается с окружающей средой. Поверхность Т. т. играет определяю­щую роль в таких явлениях, как катализ, коррозия, рост кристаллов (см. Кристаллизация) и т. п. Обычно микроструктура поверхности крайне нерегулярна, и её исследование на­талкивается на большие трудности. Однако наметился прогресс в выяв­лении свойств атомов и электронов, расположенных на поверхности Т. т. (см. Адсорбция, Поверхностные со­стояния).

•Каганов М. И., Френкель В. Я., Вехи истории физики твердого тела, М., 1981; Киттель Ч., Введение в фи­зику твердого тела, пер. с англ., М., 1978; 3 а й м а н Дж., Электроны и фотоны, пер. с англ., М., 1962; Пайерлс Р., Квантовая теория твердых тел, пер. с англ., М., 1956; Френкель Я. И., Введение в теорию металлов, 4 изд., Л., 1972; Физика твердого тела. Электронные свойства твердых тел, пер. с англ., М., 1972. См. также лит. при ст. Металлы, Полупроводники, Диэлект­рики, Кристаллы. М. И. Каганов.

ТВЁРДОСТЬ, характеристика мате­риала, отражающая его прочность и пластичность. Наиболее часто Т. оп­ределяется методом вдавливания ша­рика или призмы в испытуемый об­разец или царапания. В методе Виккерса алмазная пирамида стандарт­ных размеров вдавливается остриём в тело с шлифованной поверхностью и Т. определяется как отношение нек-рой стандартной силы вдавли­вания к 1 мм2 площади отпечатка. Т. по Бринеллю — отношение силы, вдавливающей стандартный стальной шарик, к площади отпечатка. Т. по Роквеллу — отношение силы вдавли­вания к глубине внедрения шарика или призмы.

Получает распространение метод из­мерения Т. с помощью УЗ колебаний, в основе к-рого лежит измерение реакции колебат. системы (изменения её собств. частоты) на Т. испыту­емого материала.

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ, оптич. квантовые генераторы (лазеры), в

738


к-рых активным веществом являются диэлектрич. кристаллы и стёкла, со­держащие ионы редкоземельных или переходных элементов, энергетич. уров­ни к-рых используются для создания инверсии населённостей. Полупроводниковые лазеры, являясь также твер­дотельными, выделяются в особую группу, т. к. в них используются не квант. переходы между энергетич. уровнями «рабочих» ионов, а квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами полупроводников (см. Зонная теория). Т. л. находит ши­рокое применение как в фундам. науч. исследованиях, так и в пром-сти и медицине, что обусловлено гл. обр. возможностью достижения большой уд. энергии и импульсной мощности генерации благодаря высокой кон­центрации активных ч-ц.

Рубиновый лазер (Т. Мейман, США, 1960). Рубин представляет собой кри­сталл корунда Аl2О3 с примесью (~0,05%) ионов Cr3+, заменяющих в крист. решётке атомы Аl. Погло­щение света, соответствующего синей и зелёной областям спектра, пере­водит ионы Cr3+ с осн. уровня ξ1 на возбуждённые уровни ξ3, образу­ющие две широкие полосы 1 и 2

(рис.). Затем за сравнительно малое время (~10-8 с) осуществляется безызлучат. переход этих ионов на метастабильные уровни ξ2 и ξ'2. Избыток энергии при этом передаётся колеба­ниям крист. решётки. Время жизни ионов Cr3+ на уровнях ξ'2 и ξ2 порядка 10-3 с. При освещении кри­сталла светом, соответствующим синей и зелёной областям спектра (полосы накачки), происходит «накопление» ионов Cr3+ на уровнях ξ2 и ξ'2, а при достаточной мощности накачки возникает инверсия населённостей от­носительно уровня ξ1. Для достиже­ния инверсии необходимо перевести более 1/2 ионов на уровни ξ2, ξ'2 за время порядка 10-3 с. Источниками на­качки служат обычно импульсные ксеноновые лампы (длительность импульса ~10-3 с). За это время в каждом см3 кристалла поглощается энергия ~ неск. Дж. Если инверсия населён­ностей достигает порогового значе­ния, при к-ром усиление за счёт вы­нужденного испускания превышает потери энергии в резонаторе, то воз­никает режим генерации (см. ниже). Рубиновый лазер генерирует на длине волны ~ 0,7 мкм.

Отношение энергии лазерного им­пульса к электрич. энергии питания лампы накачки — кпд рубинового Т. л. мал (неск. %) вследствие потерь на

преобразование электрич. энергии в световую в лампах и в схеме питания, неполного поглощения энергии излу­чения ламп активным элементом (~15%) и в результате безызлучательных потерь энергии в активном веще­стве. Уд. энергия импульса генерации от каждого см3 в-ва рубинового лазера достигает неск. Дж; примерно столько же энергии передаётся решётке кри­сталла вследствие безызлучательных потерь. Выделение энергии ~1 Дж/см3 нагревает кристалл на десятки град. Выделение теплоты происходит не­одинаково по сечению активного в-ва, нарушая его оптич. однородность. Это приводит к искажению фронта ге­нерируемых волн и к расходимости луча Т. л. При чрезмерном выделении теплоты кристалл разрушается.



Лазерные среды Т. л. К 1982 ла­зерный эффект обнаружен более чем у 250 диэлектрич. кристаллов с примеся­ми. Среди них можно выделить группу т. н. оксидных лазерных кристаллов [напр., рубин Аl2O3-(Cr3+), итриево-алюминиевый гранат, активирован­ный ионами неодима: Y3Al5Ol2(Nd3+), ниобат никеля NiNbO3(Nd3+)] и группы фторидных кристаллов [LiYF4(Nd3+), LiHoF4(Nd3+) и др.]. Большинство Т. л. излучает в диапа­зоне  от 1 до 3 мкм. Для улучшения параметров, в частности повышения кпд, в кристалл наряду с рабочими ионами — активаторами добавляют ионы — сенсибилизаторы. Их роль сводится к поглощению энергии и пе­редаче возбуждения рабочим ионам.

Для создания малогабаритных Т. л. применяются кристаллы, в которых активные ионы входят в со­став крист. решётки (напр., пентафосфат неодима), а не вводятся в ка­честве примесей. В таких кристаллах потери энергии из-за концентрац. ту­шения уменьшены за счёт упорядочен­ного расположения активных ионов и фиксированных расстояний между ни­ми. При этом концентрация активных ионов может превышать 20%, в то вре­мя как в примесных кристаллах она не превышает 5% из-за большой вероят­ности образования близких пар, для к-рых безызлучательные потери особенно велики.

Др. типом активных веществ для Т. л. являются смешанные разупорядоченные системы (тв. растворы). При этом примесные атомы входят в состав мн. различных активац. цент­ров. В результате этого спектры пог­лощения в-ва состоят из широких по­лос, что увеличивает кпд. К смешан­ным крист. средам по св-вам примы­кают стёкла.

Режимы работы. Большинство Т. л. работает в импульсном режиме. Если для накачки Т. л. используется лам­па с длительностью импульса tн~ 10-3 с, то импульс генерации длится примерно такое же время. Небольшое запаздывание начала гене­рации по сравнению с импульсом накачки обусловлено тем, что для

развития генерации необходимо пре­высить пороговое значение инверсии населённостей, после чего усиление за один «проход» рабочего объёма начи­нает превышать суммарные потери энергии в зеркалах резонатора за счёт поглощения и рассеяния света, а. также за счёт полезного излучения. Режим работы Т. л., когда длитель­ность лазерного импульса tлtн, наз. режимом свободной генерации. Он характеризуется тем, что импульс. генерации состоит из совокупности множества хаотич. коротких (10-6 с) пичков (пичковый режим).

Для ряда применений важно сокра­тить tл, т. к. при заданной энергии импульса пиковая мощность возра­стает с уменьшением его длительнос­ти. Для этого служит т. н. метод модулированной доброт­ности, основанный на включении резонатора Т. л. спец. затвором. Оптич. накачку осуществляют при закрытом затворе, накапливая энер­гию в активном веществе в виде нара­стающего количества возбуждённых ионов. Затем быстро открывают зат­вор, включая резонатор (см. Обратная связь). При этом вся запасённая в активном элементе энергия возбужде­ния (или большая её часть) высвечи­вается в виде короткого светового импульса, длительность к-рого опре­деляется скоростью открывания зат­вора или, если время открывания зат­вора достаточно мало, временем уста­новления эл.-магн. поля в резонаторе. С помощью оптич. затвора обычно получают tл ~10-7—10-8 с. Полная энергия импульса в режиме модулиров. добротности вследствие потерь на сверхлюминесценцию оказывается меньшей, чем в режиме свободной ге­нерации. Однако выигрыш в мощности: за счёт уменьшения tл достигает неск. порядков.

Ещё более короткие (пикосекундные) импульсы получают при помощи про­светляющих фильтров. В них приме­няются слабые р-ры красителей, кон­центрация к-рых подбирается так, чтобы при достижении определённой интенсивности света достиглось вы­равнивание населённости соответст­вующих энергетич. уровней (н а с ы щ е н и е), при к-ром раствор стано­вится прозрачным (см. Просветления эффект). Введение в резонатор про­светляющего фильтра предотвращает генерацию при включении накачки, но в активном веществе накаплива­ются возбуждённые ч-цы, соответствен­но растёт интенсивность спонтанного излучения. Пока эта интенсивность (с учётом усиления за один проход) меньше просветляющей, поглощение в фильтре препятствует развитию гене­рации. При достижении уровня про­светления раствор становится прозрач­ным, и генерируется серия сверхко­ротких импульсов, интервалы между

739

к-рыми определяются временем про­хождения света между зеркалами резо­натора. Длительность генерируемых импульсов имеет порядок менее 10-9 с, при энергии в неск. Дж. что соответствует мощности более 1010 Вт. Т. л. на стекле с примесью Nd гене­рируют последовательность импульсов с длительностями 10-11—10-12 с.

Энергия сверхкоротких импульсов невелика. Её можно значительно уве­личить при помощи одного или неск. Т. л., работающих в режиме усиления. При этом достигается пиковая мощ­ность 1013—1014 Вт при расходимости пучка, близкой к дифракционной.

Режим синхронизации мод можно осуществить амплитудной или фазовой модуляцией оптич. резонатора. Моду­лируются пропускание выходного зер­кала или расстояние L между зерка­лами с частотой, равной частоте межмодовых биений =c/2L. Этот метод используется в Т. л. с непрерывной накачкой, излучение к-рых представ­ляет собой непрерывную последова­тельность импульсов длительностью t 1 нс, следующих друг за другом с частотой .

Непрерывный режим генерации в Т. л. возможен только в активных веществах, работающих по четырёх­уровневой схеме. При этом ниж. уровнем рабочего перехода явл. не осн. уровень ξ1, а промежуточный уровень ξ2, энергия к-рого должна превосходить kT с тем, чтобы его равновесная населённость была ма­лой. Время безызлучательной ре­лаксации с этого уровня тоже должно быть малым, иначе лазерный переход ξ3ξ2 будет насыщаться при ма­лой мощности генерации (см. рис. 4, б в ст. Лазер). Т. л. непрерывного дейст­вия осуществлены на кристалле Y2Al5O12(Nd3+), CaF2(Dy3+) и др. Мощность генерации Т. л. в непрерыв­ном режиме на кристаллах алюминиево-иттриевом гранате и на стекле с Nd достигает сотен Вт. Возможен также режим генерации импульсов с большой частотой повторения, для Y2Al5Ol2(Nd3+) до неск. кГц.

Спектр излучения Т, л. (если не принимать спец. мер) сравнительно широк, т. к. обычно реализуется многомодовый режим генерации. Вве­дением в оптич. резонатор селектирую­щих элементов удаётся получать одномодовую генерацию с узким спектром. Новые возможности для создания Т. л. с перестраиваемой частотой в широких пределах связаны с использованием в кач-ве активной среды ионных крис­таллов (напр., фторидов) со сложными центрами окраски. Это позволило расширить область генерации в ИК об­ласть до  ~ 3,5 мкм.

Применения Т. л. чрезвычайно раз­нообразны. В технологии (сварка, рез­ка и т. д.) используются Т. л. на основе рубина, неодимового стекла и

Y2Al5O12(Nd3+) с мощностью генера­ции от десятков Вт до неск. кВт.

В медицине применяются гл. обр. Т. л. на неодимовом стекле с энергией излучения 1000 Дж в режиме сво­бодной генерации (терапия) и Т. л. на Y2Al5Ol2(Nd3+) в непрерывном или пе­риодич. режимах (хирургия). Этот же тип Т. л. используется в оптич. лока­ции и связи. Т. л. с tл~10-8—10-12 с применяются в высокоскорост­ной фотографии, а одномодовые Т. л. в голографич. устройствах регистра­ции быстропротекающих процессов (см. Голография). Сверхмощные Т. л. на стекле с Nd применяются для иссле­дования термоядерной плазмы (см. Управляемый термоядерный синтез). Развитие методов формирования ко­ротких и сверхкоротких импульсов привело к открытию нового класса оптич. явлений, таких, как самофоку­сировка света, вынужденное рассеяние света, параметрич. преобразование частоты света (см. Нелинейная оптика).

Создание мощных Т.п. требует обес­печения миним. термич. деформаций активных элементов. Разработаны спец. атермальные лазерные стёкла, и используются кристаллы с большими теплопроводностью (напр., иттриево-алюминиевый гранат, александрит), фотохим. и лучевой стойкостью. Наибольшей лучевой стойкостью обла­дает Т. л. на неодимовом стекле.

• Справочник по лазерам, пер. с англ., под ред. А. М. Прохорова, т. 1, ч. 2, М., 1978, гл. 11—15; Лазерные фосфатные стек­ла, под ред. М. Ё. Жаботинского, М., 1980.

М. Е. Жоботинский.

ТЕКСТУРА (от лат. textura — ткань, связь, строение), преимущественная ориентация крист. зёрен в поликри­сталлах или молекул в аморфных телах, жидких кристаллах, полимерах, приводящая к анизотропии св-в мате­риалов. Т. может возникнуть в про­цессе формирования под действием упругих напряжений, тепловых воз­действий, электрич. и магн. полей и др. и при сочетании этих факторов (напр., термомеханич. и термомагн. обработки материалов). Различают осе­вые Т. с предпочтительной ориента­цией относительно одного направле­ния (ось Т.), плоские Т. с ориентацией относительно плоскости (плоскость Т.). Т. наз. полными при наличии плос­кости и выделенной оси Т. Возможно образование сложной Т. с неск. ви­дами ориентации. В Т. обычно не бывает ориентации всех элементов. Существует разброс ориентации отно­сительно выделенных осей и плоско­стей. Распределение ориентации ха­рактеризуют функцией распределения по углам, определяемым рентгеногра­фически. Распространены также оптич. методы изучения Т.

Т. образуются при массовой кри­сталлизации, эпитаксиальном нара­щивании (см. Эпитаксия), адсорбции, фазовых переходах, вакуумном и электролитич. осаждении, при кристалли­зации и деформации полимерных мате­риалов, при отливках, протяжке, про-

катке и сжатии металлов и др. обра­ботке материалов. Текстурированными материалами явл. пьезокерамики, существуют оптич. Т. (см. Поляроид), текстура магнитная и др. Т. распрост­ранены в изделиях из в-в природного происхождения (волокна) и др. мате­риалах.

• Кудрявцев И. П., Текстуры в металлах и сплавах, М., 1965; Шубни­ков А. В., Пьезоэлектрические текстуры, М.— П., 1946; Б а н н Ч., Текстура полиме­ров, в кн.: Волокна из синтетических поли­меров, под ред. Р. Хилла, пер. с англ., М., 1957; Вайнштейн Б. К., Дифракция рентгеновых лучей на цепных молекулах, М., 1963.

Г. И. Дистлер.

ТЕКСТУРА МАГНИТНАЯ, преиму­щественная пространственная ориен­тация осей лёгкого намагничивания в поликрист. ферро- или ферримагн. образце, в результате к-рой он обла­дает магнитной анизотропией. Т. м. возникает: при действии на образец направленных механич. напряжений, создающих предпочтит. ориентацию кристаллитов (см. Текстура); при тер­мич. обработке образца ниже Кюри точки в присутствии магн. поля (тер­момагн. обработка); при термомеха­нич. обработке. Создание Т. м. у магнитно-мягких материалов снижает коэрцитивную силу, уменьшает маг­нитные потери; у магнитно-твёрдых материалов М. т. приводит к увеличе­нию их коэрцитивной силы, остаточной индукции и др.

• Металлы и сплавы в электротехнике, 3 изд., т. 1—2, М.—Л., 1957; Преоб­раженский А., Теория магнетизма, магнитные материалы и элементы, М., 1972.

ТЕКУЧЕСТЬ, свойство тел пластиче­ски или вязко деформироваться под действием напряжений; характеризу­ется величиной, обратной вязкости. У вязких тел (газов, жидкостей) Т. проявляется при любых напряжени­ях, у пластичных тв. тел — лишь при высоких напряжениях, превышающих предел Т.

У разл. тел существуют разные ме­ханизмы Т., определяющие сопротив­ление тел пластич. или вязкому те­чению. У газов Т. связана с переносом импульса из тех слоев, где имеется преобладающее движение молекул газа в направлении течения, к слоям, у к-рых это движение меньше. У жид­костей Т. обусловлена преобладанием диффузии в направлении действия на­пряжений. Элементарным актом при этом явл. скачкообразное перемещение молекулы или пары молекул, или сег­мента макромолекулярной цепи (у высокомол. в-в), сопровождающееся переходом через энергетич. барьер. У крист. тв. тел Т. связывается с движением разл. рода кристалличе­ских дефектов: точечных (вакансий), линейных (дислокаций) и объёмных (краудионов); течение может быть обусловлено также двойникованием под действием напряжения. Медленные течения металлов при высоких темп-рах, полимеров и др. наз. ползучестью материалов.

Т. исследуют как в природе, так и в технике. На Земле Т. проявляется в

740


движениях в атмосфере и гидросфере, тектонич. движениях горных масси­вов. В технике с явлением Т. сталки­ваются, напр., при движениях газов и жидкостей по трубам, при изготов­лении штамповочных изделий и т. д.

Н. И. Малинин.

ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ МИКРОСКОП, прибор, в к-ром изображение малого объекта, получаемое с помощью микро­скопа, проецируется на светочувствит. элемент передающей телевизионной трубки и преобразуется в последо­вательность электрич. сигналов, даль­нейшее использование к-рых позволя­ет на экране кинескопа воспроизвести изображение в увеличенном масштабе.

ТЕЛЕГРАФНЫЕ УРАВНЕНИЯ, урав­нения в частных производных, опи­сывающие процесс распространения эл.-магн. волн в линиях передачи (в коаксиальных кабелях, двухпровод­ных линиях и др.):

Здесь V(x, t) и I(х, t) — напряжение и ток в линии, L и С — погонные ин­дуктивность и ёмкость, зависящие от размера проводов, расстояния между ними и св-в заполняющей среды, a R и G — погонные сопротивление и проводимость, учитывающие токи утечки. Структура поля в поперечном сечении линии предполагается ква­зистационарной, что выполняется для волн с >> поперечных размеров линии. Т. у. приближённо описывают также распространение сигналов в линиях, состоящих из сосредоточенных ём­костей, индуктивностей и сопротив­лений при условии, что различия ве­личин V и I на соседних звеньях достаточно малы. В идеализированном случае, когда R=0, G=0, эл.-магн. сигналы распространяются вдоль ли­нии со скоростью v=1/LC без ис­кажения и затухания. Если L и С зависят от частоты со, то Т. у. справед­ливы только для гармонич. волн и записываются для комплексных амп­литуд тока I и напряжения V, так что дI/дt и dv/dt заменяются соответ­ственно на iI и iV.



H. С. Степанов.

ТЕЛЕСКОП СЧЁТЧИКОВ, устройство для выделения и регистрации ч-ц вы­соких энергий, летящих в определён­ном направлении. Т. с. содержит два или более детекторов С1: С2, С3 (Гейгера счётчиков, сцинтилляционных счётчиков, Черенковских счётчиков и др. или их сочетаний), расположенных друг за другом по направлению дви­жения ч-цы и включённых в схемы сов­падений и антисовпадений (см. Совпа­дений метод, рис.). Метод совпаде­ний и антисовпадений позволяет отде­лить сигналы, вызванные ч-цей, про­шедшей через Т. с., от шумовых сиг­налов самих детекторов, неизбежного фона, а также от сигналов, создавае­мых посторонними ч-цами с др. вре­менем пролёта между отд. детекторами или с др. направлением движения.

Т. с, широко применяются в физике ч-ц высоких энергий. Схемы антисо­впадений позволяют исключать посто­ронние ч-цы, напр. с др. пробегами (за детекторами С1, С2, С3, включёнными в схему совпадений, и фильтром, в к-ром тормозятся и останавливаются регистрируемые ч-цы, помещён детектор СA, включённый в схему антисов­падений с детекторами С1, С2, С3).


Угловое разрешение Т. с. (спо­собность выделять частицы, летя­щие в заданном направлении) опре­деляется размерами детекторов и расстоянием между ними (угол а). Телесный угол Т. с.  зависит от размера детектора С3 и расстояния от него до источников ч-ц. Размеры осталь­ных детекторов выбираются так, чтобы в них попадали все ч-цы, вылетающие из мишени и проходящие через детек­тор С3.

ТЕМНЫЙ РАЗРЯД, таунсендовский разряд, самостоятельный квазистацио­нарный электрический разряд в газах при низких давлениях и очень малых токах (менее 10-5 А). Электрич. поле в разрядном промежутке однородно или слабо неоднородно. Объёмный за­ряд имеет очень низкую плотность и практически не искажает поле. Про­водимость в плазменном столбе раз­ряда обусловлена образованием ла­вин, а на электродах — вторичной электронной эмиссией и рекомбинац. процессами. При повышении тока Т. р. переходит в тлеющий разряд.



В. Н. Колесников.


<< предыдущая страница   следующая страница >>



Если не могут атаковать мысль, атакуют мыслителя. Поль Валери
ещё >>